集微網消息，天眼查顯示，華為技術有限公司近日新增多條專利信息，其中一條發明專利名稱為“一種集成電路及其制作方法、場效應晶體管”，公開號為CN116636017A。

專利摘要顯示，本申請提供一種集成電路及其制作方法、場效應晶體管，涉及集成電路技術領域，可以簡化集成電路的制作過程，降低生產成本。該集成電路包括襯底以及設置在襯底上的FinFET；還包括GAAFET和/或forksheet FET；FinFET包括第一溝道層；第一溝道層包括層疊交替的第一半導體層和第二半導體層；第一半導體層的材料和第二半導體層的材料不相同；GAAFET和/或forksheet FET包括第二溝道層；第二溝道層包括層疊交替的第三半導體層和控制層；控制層包括柵極延伸部和設置在柵極延伸部側面的第一柵介質層；柵極延伸部和第二柵極接觸；其中，多層第一半導體層和多層第三半導體層一一對應，多層第一半導體層中的一層和多層第三半導體層中與其對應的一層屬于同一圖案層。

據悉，截至2022年底，華為持有超過12萬項有效授權專利，主要分布在中國、歐洲、美洲、亞太、中東和非洲。其中，華為在中國和歐洲各持有4萬多項專利，在美國持有22,000多項專利。

（文章來源：集微網）